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木村真琴大概就是这样的情况,且不说阿斯麦的事情,如果十台光刻机是真的,那木村真琴无论如何道歉,也要把黄鹤这个客户给笼络到手中的。

“日本人能够成功,果然不是没有原因的!”黄鹤感叹一声,然后接着说道“既然木村社长的态度如此诚恳,那我也不跟您弯弯绕绕了,我直接说吧,阿斯麦已经得到了跨越50纳米的技术极限的钥匙了,最迟两年的时间,阿斯麦的第1台48纳米级别的光刻机就能够上市。”

“这不可能!”木村真琴又一次高呼出了不可能三个字,但这一回他脑门上全部都是汗水,身上穿的和服,甚至都在这一瞬间被汗水给浸透了。

50纳米的技术极限,这是全球捆在所有光刻机企业脖子上的绳索,自从10年前到达这个极限之后,无论是尼康还是佳能,几乎每年都要投入1-2亿美元的巨额资金来研发突破这个极限的途径。

为了突破这个极限,全球各个光刻机行业的专家们提出了几种途径,其中包括157nm F2激光,电子束投射,离子投射、EUV和X光,并形成了以下几大阵营:

其中F2激光技术,这是目前在理论和技术上最为成熟的阵营,在浸润式光刻机出现之前,几乎所有的光刻机企业研究的都是这个技术,目前是美国的SVG和日本的尼康,在这两个技术上走的最远,尤其是尼康,他们估计再有个5年左右的时间,就能够拿出最终的产品出来了。

但是这个技术有一个巨大的缺陷,那就是生产成本巨大,改造成本也更加的巨大,而且这个技术的天花板,也就是从50纳米提高到了40纳米左右,提升的幅度只有20%,是典型的投入和产出相差极大的案例。

如果用这种办法制造出来的芯片,最早是现在同等级芯片的价格的三倍以上,如果投放到市场上,他未来所有顶级芯片的旗舰手机的起步价格,就最少要提交2000元人民币左右了。

但这依然是目前最有可能成功的技术。

EUV技术,这是技术前景最为光明的,但也是最困难的技术,因为这个技术要从直接改革光源入手,将目前的光刻机光源改革成为紫光,直接从光源上,把50纳米的极限提升到13.5纳米的极限,提升幅度可谓巨大,绝对是市场前景最为广阔的技术。

这个技术难度极高不说,关键是几乎所有的专利和门槛都掌握在美国人的手里面,分布在英特尔,AMD,摩托罗拉和美国能源部这些单位之中,尼康手里面几乎没有这方面任何的技术专利。

本来作为美国的小老弟,以前的日本或许还有机会加入到这样的专利联盟手中,但是自从花园广场协议一签,所有日本人都知道美国是打定了主意要打压日本的半导体行业,他们是绝不可能允许日本企业进入到EUV技术联盟之中的,否则花园广场协议就白签了。

这里就不得不说一句,其实美国是一家,非常公平和公正的国家,对于能够威胁到自己技术优势的对手,他们会立刻打压。

同样的,如果是自己的狗威胁到了自己的技术优势,那也是一样要打压的。

比如在90年代后期,日本的半导体行业几乎已经要将美国的半导体行业给彻底撕碎了,他们占据了90%以上的市场。

结果花园广场协议一签,日本半导体行业瞬间崩溃,等到了2020年,日本的半导体行业连苟延传统的资格都没有了,直接就变成了一具尸体,而日本政府却只能对美国唯唯诺诺,连一句反对的声音都听不到。

不像中国,来,大家正面干。

咳咳,言归正传就,其实在技术上还有一个比EUV更加梦幻的技术,叫做接近式X光技术,这个技术可以将光源从13.5纳米,一口气提升到一纳米的水平,这是显然是一个更加疯狂的光刻机技术。

而这也是目前整个日本光刻机行业倾力投入的技术,他们梦想着一旦等这个技术开花结果,那就算是EUV再怎么排斥日本也是抓瞎,因为大家根本就不在一个水平面上面了。

只不过,倪光南曾经非常形象的形容过这个技术阵营,说这是一个浪漫主义的技术阵营,大家就当科幻小说来读就好了。

其实后面还有更加科幻的技术,比如光源波长在千分之四纳米的EBDW技术。

还有更加恐怖的光源波长在十万分之五纳米的IPL技术,这些技术,估计要等到击败三体人之后,才有可能看到了。

总而言之,目前尼康等企业正在全力投入的F2激光技术,是目前最有可能成功的技术,也是尼康走的最远的技术,但就算是这样的技术,才能够完成技术,然后进行生产……等到完全的商业化,恐怕就要等到2010年左右了。

结果黄鹤现在告诉尼康,阿斯麦只需要两年的时间就能够拿出突破极限的光刻机出来,领先了尼康足足三年以上的时间,木村真琴就算是当场晕倒,那也是正常的。

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